11

Calculation of the work function of a substrate-thin film heterojunction

Année:
1981
Langue:
english
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PDF, 492 KB
english, 1981
14

Modifications of InP(110) surfaces induced by electron beam during Auger measurement

Année:
1989
Langue:
english
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PDF, 208 KB
english, 1989
16

Contribution à l'étude des pièges dans Ta2O5 thermique

Année:
1974
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PDF, 377 KB
1974
31

GaSb molecular beam epitaxy growth on vicinal surfaces studied by RHEED

Année:
1996
Langue:
english
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PDF, 399 KB
english, 1996
34

Properties of the contact on ion cleaned n and p type silicon surfaces

Année:
1983
Langue:
english
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PDF, 637 KB
english, 1983
36

Schottky diode properties of Au, InGaP (111) and (110) chemically etched surfaces

Année:
1995
Langue:
english
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PDF, 325 KB
english, 1995
37

The Kelvin probe method for work function topographies: technical problems and solutions

Année:
1984
Langue:
english
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english, 1984
44

A study of the cleaved InP surface by CPD and SPV topographies

Année:
1985
Langue:
english
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english, 1985
45

Electron beam effect on GaAs real surfaces and on Ag-GaAs Schottky diodes

Année:
1985
Langue:
english
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PDF, 53 KB
english, 1985
46

Properties of 100 K InP(110) cleaved surface and relevant schottky diodes

Année:
1986
Langue:
english
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english, 1986
49

The effect of surface preparation and properties on Ag-GaAs (100) Schottky diodes

Année:
1986
Langue:
english
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english, 1986